近期網(wǎng)上有謠言稱英偉達永久停止與三星電子合作，星電向英原因是駁斥三星電子向英偉達供應的 HBM 內(nèi)存存在裂紋而導致各種產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。

HBM 指的偉達紋被網(wǎng)是高帶寬存儲器，是達拉內(nèi)存的一種類型，可以將多個芯片堆疊并與 GPU 芯片封裝在一起。內(nèi)存

三星電子是存裂 HBM 內(nèi)存的主要供應商之一，相關(guān)的英偉謠流言自然對三星電子產(chǎn)生負面影響，而消息源并非媒體報道，藍點而是星電向英在韓國汝矣島證券交易所的一些分析師發(fā)出來的。

三星電子表示：

在韓國汝矣島證券交易所流傳的 “向 NVIDIA 供應的三星電子 HBM 因裂紋而出現(xiàn)整體缺陷” 的謠言毫無根據(jù)，整體有缺陷的偉達紋被網(wǎng)謠言被認定為韓國汝矣島證券交易所的一些分析師此前散布的惡意謠言，我們不確定為什么他們會散布這些惡意謠言。達拉

實際上謠言不止這些，內(nèi)存最初的存裂 “謠言” 完整的說法是三星電子的 HBM 內(nèi)存存在重大缺陷，導致英偉達的英偉謠產(chǎn)品受影響，進而導致英偉達拉黑三星電子，不再采用其任何內(nèi)存芯片。

英偉達采購的 HBM 內(nèi)存最初主要是 SK 海力士供應的，而且是獨家供應，從今年開始英偉達接受了三星電子供應的 HBM3 內(nèi)存。

不過關(guān)于這些傳言英偉達并未發(fā)布任何回應。

附加內(nèi)容：

HBM：高帶寬存儲器是三星電子、超微半導體和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備等。

HBM3：指的是 HBM 第三個標準，每個標準里面還有不同的 “代”，所以這里指的并不是第三代。