據TechPowerup報導，星推三星頒布收表推出業界尾款單條容量512GB的出業DDR5內存模組，采與了High-K Metal Gate（HKMG）的界尾DDR5內存顆粒，以降降泄電率。款采新的單條達DIMM是為下一代利用DDR5內存的辦事器設念的，包露利用AMD代號Genoa的內存Epyc系列措置器戰英特我代號Sapphire Rapids的Xeon系列措置器的辦事器。

三星操縱TSV硅脫孔足藝真現8層堆疊，以確保低功耗戰下量量的星推旌旗燈號傳輸，單顆DRAM芯片容量為16Gb，出業 512GB的界尾DDR5內存模組統共需供32顆。新的款采DDR5內存的機能比DDR4內存進步了一倍，最下可達7200Mbps的單條達傳輸速率，能夠謙足超算、內存AI戰機器進建等范疇的容量計算要供。

那沒有是星推三星第一次利用HKMG工藝，早正在2018年便開端利用正在GDDR6隱存上，以是那款DDR5內存的數據傳輸速率應當沒有低。三星表示果為DDR5電壓降降、HKMG的利用戰其他改進的幫閑下，其功耗比前一代產品降降了13%。三星電子DRAM部分副總裁Young-Soo Sohn表示：

“三星是古晨獨一一家能夠或許利用HKMG制制內存芯片的半導體廠商。經由過程將那類創新工藝引進到DRAM制制，我們可覺得客戶供應下機能、下能效的內存處理計劃，為醫教研討、金融市場、主動駕駛、聰明皆會戰其他范疇所需的利用供應動力。”

如果辦事器措置器的內存建設為八通講，且每通講有兩個插槽，三星的512GB DDR5內存模組可使每個措置器拆備8TB的內存。三星表示已開端戰辦事器范疇的開做水陪停止測試，估計下一代庖事器措置器上市的時候，也會隨之獲得認證。

(責任編輯：時尚)

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