本月 CMFS2023（中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)）在深圳舉辦，星討新才現(xiàn)藍(lán)三星、態(tài)硬長(zhǎng)江存儲(chǔ)、年內(nèi)到能實(shí)南京包夜外圍上門外圍女姐（微信156-8194-*7106）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有美光、靠封Arm、裝技鎧俠、術(shù)創(chuàng)英特爾、點(diǎn)網(wǎng)紫光展銳、星討新才現(xiàn)藍(lán)Solidigm 等行業(yè)公司參與該峰會(huì)。態(tài)硬
目前全球閃存芯片出貨量和營(yíng)收最高的年內(nèi)到能實(shí)都是三星，但三星在 QLC 閃存上非常謹(jǐn)慎，靠封既然如此那 PLC、裝技HLC、術(shù)創(chuàng)南京包夜外圍上門外圍女姐（微信156-8194-*7106）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有OLC 閃存豈不是點(diǎn)網(wǎng)還要等待很久？
就當(dāng)前來看三星距離推出新的閃存還很遙遠(yuǎn)，不過三星認(rèn)為 1PB 的星討新才現(xiàn)藍(lán)固態(tài)硬盤，可能會(huì)在未來 10 年的某個(gè)時(shí)候到來，這需要層疊技術(shù)升級(jí)和封裝技術(shù)創(chuàng)新。
三星預(yù)計(jì)還會(huì)繼續(xù)增加 3D NAND 的物理縮放和邏輯縮放，物理縮放指的是減少閃存單元體積，讓 NAND 單元體積縮小后可以堆疊更多 NAND 層數(shù)；邏輯縮放指的是增加每個(gè) NAND 單元存儲(chǔ)的位數(shù)。
三星期待更先進(jìn)的 3D NAND IC 封裝技術(shù)，該公司認(rèn)為物理縮放、邏輯縮放和封裝創(chuàng)新將在未來 10 年內(nèi)將固態(tài)硬盤容量提升到 1PB，即 1024TB 或 1048576GB。
在閃存芯片技術(shù)和工藝方面三星相對(duì)來說比較謹(jǐn)慎，2017 年三星就推出 3D TLC 的 30.72TB 固態(tài)硬盤，到 2019 年展示 64TB 固態(tài)硬盤，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型，不過沒有量產(chǎn)。
三星如此保守的對(duì)待 3D QLC NAND 主要是三星希望對(duì)閃存控制器進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，從而將 3D QLC NAND 引入主流市場(chǎng)，換言之，三星似乎還覺得 3D QLC NAND 搭配的控制器還不足以進(jìn)入大范圍使用。
但三星也承認(rèn)指望靠物理縮放 NAND 體積增加堆疊層數(shù)到 1000 層也不能快速增加密度，所以最終要實(shí)現(xiàn)的還是邏輯縮放，即每個(gè) NAND 單元增加更多的位數(shù)。
鎧俠 (原東芝存儲(chǔ)) 對(duì) NAND 邏輯縮放更熱情，早在 2019 年鎧俠就開始討論每個(gè) NAND 單元存儲(chǔ) 5 位 bpc 的 PLC NAND，之后鎧俠工程師還演示了存儲(chǔ) 6 位 bpc 的 3D HLC NAND，鎧俠認(rèn)為 8bpc OLC NAND 存儲(chǔ)器都是可能的。
為了讓每個(gè) NAND 存儲(chǔ) 6 位 bpc，NAND 單元必須保持 64 個(gè)電平，而 8bpc OLC 3D NAND 則需要保持 256 個(gè)電平狀態(tài)，因此每增加一位 bpc 都會(huì)給制造商帶來巨大的困難。
困難在哪里呢？材料。
制造商必須找到可以存儲(chǔ) 64 或 256 個(gè)電壓狀態(tài)的材料，還要確保每個(gè)電壓狀態(tài)不會(huì)相互干擾；
其次是這種材料必須量大管飽，所以必須容易合成才能滿足使用需要；
第三制造商還必須能夠管理這類保持大量電壓狀態(tài)的 3D NAND 溫度，隨著每個(gè) NAND 位數(shù)的增加，想要將溫度保持在一個(gè)合理的范圍也很困難；
最后：還必須研發(fā)更可靠的閃存控制器，控制器還需要使用更復(fù)雜的 ECC 算法，計(jì)算量暴增也會(huì)導(dǎo)致需求的算力增加，所以控制器成本會(huì)大幅度提升，制造商還需要解決成本問題。
不過隨著技術(shù)的發(fā)展這些問題最終都是會(huì)被解決的，只不過人類需要花費(fèi)更長(zhǎng)時(shí)間解決問題，所以消費(fèi)者唯一能做的就是：等。